来源：【黑龙江日报】
“公司能有幸受邀参加2022世界5G大会，其目的是在展示自身企业形象、产品的同时，能够与其他领军企业进行充分交流、学习、分享，同举新时代5G旗帜。”在2022世界5G大会即将召开之际，作为数字经济展区的受邀企业，大庆溢泰半导体材料有限公司总经理于会永在接受记者采访时表示。
大庆溢泰半导体材料有限公司
大庆溢泰半导体材料有限公司是以砷化镓、磷化铟等化合物半导体材料的研发、生产、销售为主营业务的高科技企业，企业自主研发的砷化镓单晶材料制备技术目前处于国际先进水平。此次参加世界5G大会，大庆溢泰将带来的产品有4英寸光电砷化镓晶片、6英寸微电砷化镓晶片、4英寸磷化铟晶片以及4英寸钽酸锂晶片。
2020年8月，大庆溢泰通过了国际最权威的半导体材料认证机构——英国劳氏ISO9001质量体系认证。2020年11月，获得了高新技术企业认证。目前，企业具备年产4英寸砷化镓抛光片240万片的生产能力，形成了国内产业链配套最完整、技术水平最先进的砷化镓半导体材料制造基地，产品覆盖中国大陆、台湾地区以及欧美日韩，国内光电子砷化镓细分领域市场份额第一，是国内砷化镓材料龙头企业。“在即将召开的世界5G大会上，我们企业期待的是大会邀请的20余位国内外院士专家进行的演讲。希望在相关主题研讨会中，能与专家学者和企业之间进行深入交流，发掘机遇，促进技术、产品、产业链条间的交流与合作。”于会永说。
化合物半导体材料研发中心
半导体是当今信息技术产业高速发展的基础和原动力，已经高度渗透并融合到了经济、社会发展的各个领域，其技术水平和发展规模已经成为衡量一个国家产业竞争力和综合国力的重要标志之一。于会永介绍，为了实现企业的可持续发展，大庆溢泰还将与国内外科研院所及重点院校合作组建“化合物半导体材料研发中心”，对第二代、第三代半导体材料进行持续研发。立足于自主研发，引进人才，消化技术，整合资源，形成和完善以企业为主体的技术创新体系，加速科技成果的产业化。
作为科技的最前沿，作为支撑经济社会发展和保障国家安全的战略性和基础性产业之一，半导体行业近年来备受关注，行业发展机遇巨大。“非常期待众多企业和我们一起参与到半导体行业中，一起全面贯彻新发展理念，加快数字中国建设，共创数字技术的未来发展。”于会永说。
来源：龙头新闻
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随着半导体制程的不断进步，集成电路的尺寸愈来愈小、芯片的集成密集度不断提高，导致金属互连线的寄生电阻效应和寄生电容效应愈来愈严重，进而使芯片的工作频率无法再提升，这种情况称之为阻容延时（又叫RC延时，RC Delay）。RC延时不仅阻碍工作频率，同时也会增加电路功耗。
寄生电阻延迟的解决方案
寄生电阻的问题来自于线路本身的电阻性，使用电阻值更低、传导性更佳的线路材质可以缓解寄生电阻延迟的问题。由于铜比铝有更好的导电率，电阻较低，目前集成电路业界已经采用铜互连技术来代替铝互连技术。
寄生电容延迟的解决方案
在集成电路内部，不同层互连线之间需要ILD(Inter Layer Dielectrics，层间电介质)来隔离并支撑。由于ILD的存在，导线之间就不可避免地存在寄生电容。使用低介电常数材料（low-k）作为ILD，可以有效地降低金属互连线之间的寄生电容，从而提升芯片的稳定性和工作频率。因此，Low-K工艺是目前集成电路的发展重点，特别是在逻辑运算，存储等领域。
芯片
Low-K材料的加工方法
Low-K材料难以用普通的金刚石刀轮进行切割，原因是金刚石刀轮直接作用会导致Low-K材料的飞溅和外观不良，如崩缺、裂纹、钝化、金属层掀起等现象。因此需先用激光去除硅晶圆表面的Low-K层，之后用刀轮切割硅等衬底材料。
目前主流的low-k层去除方式是使用激光开槽技术，通过光路系统将光斑整形成特定的形貌,将激光聚焦于材料表面达到特定槽型，并利用超快激光极高的峰值功率，将low-k层瞬间汽化，没有中间过程，从而极大的减少热影响区，是一种先进的激光“冷” 加工工艺制程。
Low-k开槽加工方式
如上图所示，激光加工Low-K开槽的加工方式是先用Dual narrow方式在切割道内部切两条细保护槽（Trenching），再用Wide beam方式进行宽度开槽（Grooving）。
Low-K晶圆加工工艺流程
Low-k晶圆加工工艺流程
全自动晶圆激光开槽设备
全自动晶圆激光开槽设备
大族半导体凭借在激光微加工领域的实践经验和理论基础，于2018年在国内率先进行Low-K开槽关键技术的研发并取得突破性进展。基于材料损伤的基本原理，选用特殊脉冲宽度激光器，利用平顶光整形和光斑形状整形等多种手段，开发出更具竞争力的工艺效果。同步研发推出紫外纳秒加工方案，可以在保证槽型满足需要的提前下，带来更高的加工效率，陆续得到行业标杆客户的高度认可。
应用领域
半导体激光开槽机是为半导体硅晶圆Low-K材料激光开槽设计，适用范围拓展到金属膜以及GaN/Si晶圆激光开槽、硅晶圆、钽酸锂晶圆以及氮化镓晶圆切割等。
设备优势
·支持全自动、半自动功能，涂胶、切割任意工位抽检，优化动作流程，保证效率始终最优；
·可以实时监控所有Wafer以及整个系统流程及状态；
·开发的异常保护机制，保证异常时Wafer不被损坏；
·定制大理石底座和高精度切割模块，配合自研算法，实现稳定的微米级加工；
·优化自动化上下料模块，实现超薄片（≤80μm）稳定搬运。
主要参数
设备参数
加工效果
加工效果1
加工效果2
大族半导体将结合公司雄厚的技术实力，秉持“创新驱动发展，制造崛起未来”的理念，深耕行业，紧随市场，持续为半导体产业提供创新解决方案，努力实现半导体设备国产化。